• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: TO-252, (D-Pak)
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 250V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 278A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 780W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: Module
• Тип канала: 2 N Channel (Phase Leg)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V (1.7kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 60A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.2V @ 5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 356nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 602W (Tc)

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 500µA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 20V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP6
• Тип корпуса: SP6
• Тип канала: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 219A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 150A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 8400pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 925W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• FET Feature: Depletion Mode
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 740mW (Ta)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP6
• Тип корпуса: SP6-P
• Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 147A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 100A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 322nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 625W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 46A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 357W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-39
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.7A (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 4A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
• Напряжение затвора (макс): ±20V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Тип канала: N-Channel
• Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
• Технология: MOSFET (Metal Oxide)
• Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
• Напряжение затвора (макс): ±30V

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: D-3 Module
• Тип корпуса: D3
• Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ)
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 20V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 1000V
• Мощность - Макс.: 625W

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP4
• Тип корпуса: SP4
• Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 51A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 390W

• Производитель: Microchip Technology
• Частота: 128MHz
• Номинальное напряжение: 500V
• Current - Test: 15mA
• Выходная мощность: 900W
• Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
• Усиление: 16dB
• Voltage - Test: 150V
• Номинальный ток: 10A

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Chassis Mount
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SP3
• Тип корпуса: SP3
• Тип канала: 2 N-Channel (Dual)
• FET Feature: Standard
• Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
• Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 37A
• Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18.5A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 1mA
• Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V
• Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4367pF @ 25V
• Мощность - Макс.: 312W