Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology SP6C

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • MSCSM120TLM08CAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 80A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 928nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12000pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 1378W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70AM025CT6AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 538A (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120AM042CT6AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 240A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 6mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1392nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18.1pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 2.031kW (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120AM027CT6AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 733A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 360A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 9mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2088nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 2.97kW (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100