Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology SOT-143

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
  • MIC94051YM4-TR
    MOSFET P-CH 6V 1.8A 8MSOP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: SymFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 5.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -6V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIC94030YM4-TR
    MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: TinyFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 16V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 100mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 12V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): 16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIC94030BM4 TR
    MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: TinyFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 16V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 100mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 12V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): 16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIC94031BM4 TR
    MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: TinyFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 16V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 100mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 12V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): 16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIC94050BM4 TR
    MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: SymFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 5.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -6V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIC94050YM4-TR
    MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: SymFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 5.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -6V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIC94051BM4 TR
    MOSFET P-CH 6V 1.8A 8MSOP
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: SymFET™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 6V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 100mA, 4.5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 5.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
    • Напряжение затвора (макс): -6V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIC94031YM4-TR
    MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: TinyFET®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
    • Тип корпуса: SOT-143
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 16V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 100mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 12V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): 16V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100