Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology SOT-227 (ISOTOP®)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • MSC025SMA120J
    GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM SOT
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227 (ISOTOP®)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1.2kV
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
    • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 278W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
    • Напряжение затвора (макс): +25V, -10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100