Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology 8-SOIC

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8
  • TC2320TG-G
    MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TD9944TG-G
    MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 240V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TC6215TG-G
    MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 150V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TC6320TG-G
    MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LP0701LG-G
    MOSFET P-CH 16.5V 0.7A 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 16.5V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 700mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 300mA, 5V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1V @ 1.1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 15V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.5W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 5V
    • Напряжение затвора (макс): ±10V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TC1550TG-G
    MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 50mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TP2640LG-G
    MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 740mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TN2640LG-G
    MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 8-SOIC
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 260mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 2mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 225pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.3W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100