Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology 8-PDFN (3x3)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • MCP87055T-U/LC
    MOSFET N-CH 25V 8PDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (3x3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 890pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +10V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCP87130T-U/LC
    MOSFET N-CH 25V 8PDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (3x3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.7W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +10V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MCP87090T-U/LC
    MOSFET N-CH 25V 8PDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 8-PowerTDFN
    • Тип корпуса: 8-PDFN (3x3)
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 25V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 12.5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.8W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): +10V, -8V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100