Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology SP1F

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • MSCSM120AM50CT1AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 245W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120AM16CT1AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 80A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 2mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 464nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6040pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 745W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70AM19CT1AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 365W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120AM31CT1AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP1F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP1F
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 395W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100