Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology SP4

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 32
  • APTC60HM45SCTG
    MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Super Junction
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 49A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM50HM75FTG
    MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 46A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 357W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM50AM38FTG
    MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 90A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 45A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11200pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 694W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM20AM10STG
    MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 175A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 87.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 224nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13700pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 694W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM20HM20FTG
    MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 89A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 44.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 6850pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 357W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTC80A15SCTG
    MOSFET 2N-CH 800V 28A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 28A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 277W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM100H45SCTG
    MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 18A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 9A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 154nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 357W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70VM10C4AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 674W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTC80H29SCTG
    MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 156W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM10AM05FTG
    MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 100V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 278A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 125A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 700nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 780W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM50HM75STG
    MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 46A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 23A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 357W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM50HM65FTG
    MOSFET 4N-CH 500V 51A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 51A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 25.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 390W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM100A18FTG
    MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 43A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 21.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 372nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 780W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTC60AM35SCTG
    MOSFET 2N-CH 600V 72A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 72A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 36A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 518nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 416W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM20HM16FTG
    MOSFET 4N-CH 200V 104A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 104A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 52A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7220pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 390W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100