-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
Серия
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APTM120A29FTG | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 | Microchip Technology | SP4 | 780W | Chassis Mount | SP4 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1200V (1.2kV) | 34A | Standard | 348mOhm @ 17A, 10V | 5V @ 5mA | 374nC @ 10V | 10300pF @ 25V | |
| MSCC60AM23C4AG | PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP4 | Microchip Technology | SP4 | Chassis Mount | Module | 2 N-Channel | 600V | 81A (Tc) | Standard |
- 10
- 15
- 50
- 100