Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology SP6C LI

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 9
  • MSCMC120AM04CT6LIAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C LI
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 388A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 300A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 90mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 966nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 16700pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 1754W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCMC120AM03CT6LIAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C LI
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 631A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 500A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 150mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1610nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27900pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 2778W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCMC120AM02CT6LIAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C LI
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 742A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 600A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 180mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1932nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 33500pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 3200W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120AM03CT6LIAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C LI
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 805A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 400A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2320nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 30200pF @ 1kV
    • Мощность - Макс.: 3.215kW (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120AM042CT6LIAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C LI
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 240A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 6mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1392nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18100pF @ 1kV
    • Мощность - Макс.: 2.031kW (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCMC170AM08CT6LIAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C LI
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V (1.7kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 300A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 108mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1128nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 22000pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 1780W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCMC120AM07CT6LIAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C LI
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 264A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 240A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 60mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 690nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 11400pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 1350W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70AM025CT6LIAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C LI
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 538A (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120AM02CT6LIAG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6C LI
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 947A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 480A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 12mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2784nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 36240pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 3.75kW (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100