Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology SP3F

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 17
  • MSCSM70VM19C3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 365W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCC60VRM99CT3AG
    PM-MOSFET-COOLMOS-SBD-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120HM31CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 395W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM170DUM15T3AG
    PM-MOSFET-SIC-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1700V (1.7kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 90A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.2V @ 7.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 534nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 862W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70AM10CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 241A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 690W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120HM50CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 245W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70DUM10T3AG
    PM-MOSFET-SIC-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 241A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 690W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70HM19CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 4 N-Channel
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 365W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCMC90AM12C3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 900V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70AM07CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 353A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 988W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70TAM19CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 365W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120TAM31CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 395W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70DUM07T3AG
    PM-MOSFET-SIC-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 353A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 12mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 645nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 988W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120AM11CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 254A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 120A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 696nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9060pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 1.067kW (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120DUM11T3AG
    PM-MOSFET-SIC-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Dual) Common Source
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 254A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 120A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 696nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9060pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 1067W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100