Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology SOT-23-5

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 3
  • DN1509K1-G
    MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SOT-23-5
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 90V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 490mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LND01K1-G
    MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SOT-23-5
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 9V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 5V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
    • Напряжение затвора (макс): +0.6V, -12V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LP1030DK1-G
    MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74A, SOT-753
    • Тип корпуса: SOT-23-5
    • Тип полевого транзистора: 2 P-Channel (Dual)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 300V
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180Ohm @ 20mA, 7V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10.8pF @ 25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100