Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology 8-VDFN (6x5)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • TC6321T-V/9U
    MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C
    • Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
    • Тип корпуса: 8-VDFN (6x5)
    • Тип полевого транзистора: N and P-Channel
    • FET Feature: Logic Level Gate
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 200V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 200pF @ 25V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100