-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
| Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Вид монтажа
|
Package / Case
|
Рабочая температура
|
Тип канала
|
Напряжение сток-исток (Vdss)
|
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
|
FET Feature
|
Rds On (Max) @ Id, Vgs
|
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
|
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TC6321T-V/9U | MOSFET N/P-CH 200V 2A 8VDFN | Microchip Technology | 8-VDFN (6x5) | Surface Mount | 8-VDFN Exposed Pad | -55°C ~ 175°C | N and P-Channel | 200V | 2A (Ta) | Logic Level Gate | 7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA | 110pF @ 25V, 200pF @ 25V |
- 10
- 15
- 50
- 100