• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
BLC10G18XS-320AVTY RF TRANSISTOR 320W 6LD SOT1258-4 Ampleon USA Inc. SOT-1258-7 1.805GHz ~ 1.88GHz SOT-1258-7 LDMOS BLC
DMN60H080DS-13 MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23 Diodes Incorporated SOT-23-3 Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 1.1W (Ta) 600V 80mA (Ta) 100Ohm @ 60mA, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 1.7nC @ 10V 25pF @ 25V ±20V
DMC2025UFDBQ-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Diodes Incorporated U-DFN2020-6 (Type B) 700mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad -55°C ~ 150°C (TJ) N and P-Channel Complementary 20V 6A (Ta), 3.5A (Ta) Standard 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Automotive, AEC-Q101
IPSA70R750P7SAKMA1 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3 Infineon Technologies PG-TO251-3 Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 34.7W (Tc) 700V 6.5A (Tc) 750mOhm @ 1.4A, 10V 10V 3.5V @ 70µA 8.3nC @ 400V 306pF @ 400V ±16V CoolMOS™ P7
IRF5805 MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP Infineon Technologies Micro6™(TSOP-6) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 MOSFET (Metal Oxide) P-Channel 2W (Ta) 30V 3.8A (Ta) 98mOhm @ 3.8A, 10V 4.5V, 10V 2.5V @ 250µA 17nC @ 10V 511pF @ 25V ±20V HEXFET®
SPB100N03S2-03 G MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK Infineon Technologies PG-TO263-3-2 Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 300W (Tc) 30V 100A (Tc) 3mOhm @ 80A, 10V 10V 4V @ 250µA 150nC @ 10V 7020pF @ 25V ±20V OptiMOS™
IPP80N06S3L-08 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Infineon Technologies PG-TO220-3-1 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 105W (Tc) 55V 80A (Tc) 7.9mOhm @ 43A, 10V 5V, 10V 2.2V @ 55µA 134nC @ 10V 6475pF @ 25V ±16V OptiMOS™
PH4030AL,115 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Nexperia USA Inc. LFPAK56, Power-SO8 Surface Mount SC-100, SOT-669 MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 30V 100A (Tc) 4mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 36.6nC @ 10V 2090pF @ 12V TrenchMOS™
PMPB27EP,115 MOSFET P-CH 30V 6.1A 6DFN Nexperia USA Inc. DFN2020MD-6 Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 30V 6.1A (Ta) 29mOhm @ 6.1A, 10V 4.5V, 10V 2.5V @ 250µA 45nC @ 10V 1570pF @ 15V ±20V
FQPF9N50CYDTU MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F onsemi TO-220F-3 (Y-Forming) Through Hole TO-220-3 Full Pack, Formed Leads MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 44W (Tc) 500V 9A (Tc) 800mOhm @ 4.5A, 10V 10V 4V @ 250µA 35nC @ 10V 1030pF @ 25V ±30V QFET®
6LN04CH-TL-E-ON N-CHANNEL SILICON MOSFET onsemi
2SK3617-S-TL-E NCH 4V DRIVE SERIES Rochester Electronics, LLC
STB6N60M2 MOSFET N-CH 600V D2PAK STMicroelectronics D2PAK Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 60W (Tc) 600V 4.5A (Tc) 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 10V 4V @ 250µA 8nC @ 10V 232pF @ 100V ±25V MDmesh™ II Plus
SSM3J35AMFV,L3F X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH Toshiba Semiconductor and Storage VESM Surface Mount SOT-723 MOSFET (Metal Oxide) 150°C P-Channel 150mW (Ta) 20V 250mA (Ta) 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V 1.2V, 4.5V 1V @ 100µA 42pF @ 10V ±10V U-MOSVII
IRL540S MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK Vishay Siliconix D2PAK Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.7W (Ta), 150W (Tc) 100V 28A (Tc) 77mOhm @ 17A, 5V 4V, 5V 2V @ 250µA 64nC @ 5V 2200pF @ 25V ±10V
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.