Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology D3
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D3
- Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 495A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 240A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 6mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 1392nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 18.1pF @ 1000V
- Мощность - Макс.: 2.031kW (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: D-3 Module
- Тип корпуса: D3
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 100A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 5mA (Typ)
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 246nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 4750pF @ 1000V
- Мощность - Макс.: 625W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D3
- Тип полевого транзистора: 2 N Channel (Phase Leg)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 733A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 360A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.8V @ 9mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 2088nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 27000pF @ 1000V
- Мощность - Макс.: 2.97kW (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Package / Case: Module
- Тип корпуса: D3
- Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 538A (Tc)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: D-3 Module
- Тип корпуса: D3
- Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Half Bridge)
- FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 200A, 20V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ)
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 490nC @ 20V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9500pF @ 1000V
- Мощность - Макс.: 1100W
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100