Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology 6-LFGA (3x3)

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • LN100LA-G
    MOSFET 2N-CH 1200V
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -25°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VFLGA
    • Тип корпуса: 6-LFGA (3x3)
    • Тип полевого транзистора: 2 N-Channel (Cascoded)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3000Ohm @ 2mA, 2.8V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.6V @ 10µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 350mW
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100