Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET Microchip Technology ISOTOP®

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • APT60M60JFLL
    MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 289nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12630pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 694W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT50M65JFLL
    MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Тип полевого транзистора: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 29A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7010pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100