-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 35A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 289nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 12630pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 694W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: POWER MOS 7®
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
- Тип корпуса: ISOTOP®
- Тип канала: N-Channel
- Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 29A, 10V
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7010pF @ 25V
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Рассеиваемая мощность (Макс): 520W (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Напряжение затвора (макс): ±30V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100