• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 472
  • APTC80H29SCTG
    MOSFET 4N-CH 800V 15A SP4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 800V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 15A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 91nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 156W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • LND250K1-G
    MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB)
    • Тип канала: N-Channel
    • FET Feature: Depletion Mode
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TN0106N3-G-P013
    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 60V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2V @ 500µA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VN0550N3-G
    MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 50mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 50mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VP0104N3-G
    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 40V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 500mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1W (Tc)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIC94031CYW
    MOSFET P-CHANNEL 16V 1A
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: TinyFET®
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 16V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 100mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 568mW (Ta)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VN2450N8-G
    MOSFET N-CH 500V 0.25A SOT89-3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: TO-243AA (SOT-89)
    • Тип канала: N-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 250mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 400mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 1.6W (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM50AM24SG
    MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 2 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 500V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 150A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 75A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 6mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 434nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 19600pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 1250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM100TA35FPG
    MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Тип канала: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1000V (1kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 22A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 11A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 186nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 390W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM70AM10CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип канала: 2 N Channel (Phase Leg)
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 700V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 241A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 80A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 8mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 700V
    • Мощность - Макс.: 690W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTC60DDAM45T1G
    MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: CoolMOS™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Тип канала: 2 N Channel (Dual Buck Chopper)
    • FET Feature: Super Junction
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 600V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 49A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.5A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 250W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TP5335K1-G
    MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB (SOT23)
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 350V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 85mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 360mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MSCSM120HM50CT3AG
    PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP3F
    • Тип канала: 4 N-Channel
    • FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.7V @ 1mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 20V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 1000V
    • Мощность - Макс.: 245W (Tc)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTM120H29FG
    MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Тип канала: 4 N-Channel (Half Bridge)
    • FET Feature: Standard
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 34A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348mOhm @ 17A, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 5V @ 5mA
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs: 374nC @ 10V
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 25V
    • Мощность - Макс.: 780W
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TP2540N3-G-P002
    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Тип канала: P-Channel
    • Напряжение сток-исток (Vdss): 400V
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C: 86mA (Tj)
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds: 125pF @ 25V
    • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
    • Рассеиваемая мощность (Макс): 740mW (Ta)
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
    • Напряжение затвора (макс): ±20V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100