Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • MKI80-06T6K
    IGBT MODULE 600V 89A 210W E1
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: E1
    • Тип корпуса: E1
    • Конфигурация: Full Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 210W
    • Ток коллектора (макс): 89A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 500µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STGD7NB60ST4
    IGBT 600V 15A 55W DPAK
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 55W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 15A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 7A, 1kOhm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 60A
    • Switching Energy: 3.5mJ (off)
    • Gate Charge: 33nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 700ns/-
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGTP10N50E1D
    17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    Harris Corporation
    • Производитель: Harris Corporation
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 17.5 A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 500V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
    • Gate Charge: 19nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT50TA60PG
    IGBT MODULE 600V 80A 176W SP6P
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Конфигурация: Three Phase
    • Мощность - Макс.: 176W
    • Ток коллектора (макс): 80A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT20H60T3G
    IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Full Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 62W
    • Ток коллектора (макс): 32A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NGTB75N65FL2WG
    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 80ns
    • Мощность - Макс.: 595W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 1.5mJ (on), 1mJ (off)
    • Gate Charge: 310nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 110ns/270ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS10R12VT3BOMA1
    IGBT MODULE 1200V 16A 64W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 64W
    • Ток коллектора (макс): 16A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 700pF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RGS30TSX2GC11
    10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Мощность - Макс.: 267W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 30A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 45A
    • Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
    • Gate Charge: 41nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT150DH120G
    IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Asymmetrical Bridge
    • Мощность - Макс.: 690W
    • Ток коллектора (макс): 220A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXYH20N120C3D1
    IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™, XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 (IXTH)
    • Время обратного восстановления (trr): 195ns
    • Мощность - Макс.: 230W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 36A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 88A
    • Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
    • Gate Charge: 53nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGF180DU60TG
    IGBT MODULE 600V 220A 833W SP4
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SP4
    • Тип корпуса: SP4
    • Конфигурация: Dual, Common Source
    • Мощность - Макс.: 833W
    • Ток коллектора (макс): 220A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 300µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.6nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGK82N120B3
    IGBT 1200V 230A 1250W TO264
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
    • Тип корпуса: TO-264 (IXGK)
    • Мощность - Макс.: 1250W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 230A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 80A, 2Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 500A
    • Switching Energy: 5mJ (on), 3.3mJ (off)
    • Gate Charge: 350nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/210ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXSN50N60BD2
    IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 75A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.85nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGP50B60PDPBF
    IGBT 600V 75A 370W TO247AC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Мощность - Макс.: 370W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 75A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 360µJ (on), 380µJ (off)
    • Gate Charge: 240nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 34ns/130ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXSH30N60CD1
    IGBT 600V 55A 200W TO247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Время обратного восстановления (trr): 50ns
    • Мощность - Макс.: 200W
    • Input Type: Standard
    • Ток коллектора (макс): 55A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 110A
    • Switching Energy: 700µJ (off)
    • Gate Charge: 100nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/90ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный