• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
AUIRGP4062D IGBT 600V 48A TO247AC Infineon Technologies TO-247-3 48A 600V 250W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247AC Standard 1.95V @ 15V, 24A 400V, 24A, 10Ohm, 15V 72A 89ns 115µJ (on), 600µJ (off) 50nC 41ns/104ns
IRG4BC30K-S IGBT 600V 28A 100W D2PAK Infineon Technologies TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 28A 600V 100W Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) D2PAK Standard 2.7V @ 15V, 16A 480V, 16A, 23Ohm, 15V 58A 360µJ (on), 510µJ (off) 67nC 26ns/130ns
IXGH40N60A3D1 IGBT 600V TO-247 IXYS TO-247-3 600V Through Hole TO-247AD Standard
MIO1200-33E11 IGBT MODULE 3300V 1200A E11 IXYS E11 1200A 3300V Chassis Mount Single Switch -40°C ~ 125°C (TJ) E11 NPT 120mA 3.1V @ 15V, 1200A Standard No
MKI100-12E8 IGBT MODULE 1200V 165A 640W E3 IXYS E3 165A 1200V 640W Chassis Mount Full Bridge Inverter -40°C ~ 125°C (TJ) E3 NPT 1.4mA 2.5V @ 15V, 100A 7.4nF @ 25V Standard No
IXGH28N60A3 IGBT IXYS TO-247-3 75A 600V 190W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AD Standard PT 1.4V @ 15V, 24A 480V, 24A, 10Ohm, 15V 170A 26ns 700µJ (on), 2.4mJ (off) 66nC 18ns/300ns GenX3™
IXYQ40N65B3D1 DISC IGBT XPT-GENX3 TO-3P (3) IXYS TO-3P-3, SC-65-3 86A 650V 300W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-3P Standard PT 2V @ 15V, 40A 400V, 30A, 10Ohm, 15V 195A 37ns 800µJ (on), 700µJ (off) 68nC 20ns/140ns GenX3™, XPT™
APTGT300DA120G IGBT MODULE 1200V 420A 1380W SP6 Microchip Technology SP6 420A 1200V 1380W Chassis Mount Single -40°C ~ 150°C (TJ) SP6 Trench Field Stop 500µA 2.1V @ 15V, 300A 21nF @ 25V Standard No
APT85GR120L IGBT 1200V 170A 962W TO264 Microchip Technology TO-264-3, TO-264AA 170A 1200V 962W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-264 Standard NPT 3.2V @ 15V, 85A 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V 340A 6mJ (on), 3.8mJ (off) 660nC 43ns/300ns
APTGT300TL65G IGBT MODULE 650V SP6C Microchip Technology
APT150GN120JDQ4 IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP Microchip Technology SOT-227-4, miniBLOC 215A 1200V 625W Chassis Mount Single -55°C ~ 150°C (TJ) ISOTOP® Trench Field Stop 300µA 2.1V @ 15V, 150A 9.5nF @ 25V Standard No
APTGT300A170G IGBT MODULE 1700V 400A 1660W SP6 Microsemi Corporation SP6 400A 1700V 1660W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C (TJ) SP6 Trench Field Stop 750µA 2.4V @ 15V, 300A 26.5nF @ 25V Standard No
APTGL475U120DAG IGBT MODULE 1200V 610A 2307W SP6 Microsemi Corporation SP6 610A 1200V 2307W Chassis Mount Single -40°C ~ 175°C (TJ) SP6 Trench Field Stop 4mA 2.2V @ 15V, 400A 24.6nF @ 25V Standard No
CM400DU-12H IGBT MOD 600V 400A 1130W Powerex Inc. Module 400A 600V 1130W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C (TJ) Module 1mA 3V @ 15V, 400A 35.2nF @ 10V Standard No IGBTMOD™
IRG4PC40UPBF IGBT 600V 40A 160W TO247AC Rochester Electronics, LLC TO-247-3 40A 600V 160W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AC Standard 2.1V @ 15V, 20A 480V, 20A, 10Ohm, 15V 160A 320µJ (on), 350µJ (off) 100nC 34ns/110ns
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.