• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
HGTP10N50E1D 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT Harris Corporation TO-220-3 17.5 A 500V 75W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-220 Standard 3.2V @ 20V, 17.5A 19nC
FS10R12VT3BOMA1 IGBT MODULE 1200V 16A 64W Infineon Technologies Module 16A 1200V 64W Chassis Mount Three Phase Inverter -40°C ~ 125°C Module 1mA 2.45V @ 15V, 10A 700pF @ 25V Standard No
IRGP50B60PDPBF IGBT 600V 75A 370W TO247AC Infineon Technologies TO-247-3 75A 600V 370W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AC Standard NPT 2.6V @ 15V, 50A 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V 150A 50ns 360µJ (on), 380µJ (off) 240nC 34ns/130ns
MKI80-06T6K IGBT MODULE 600V 89A 210W E1 IXYS E1 89A 600V 210W Chassis Mount Full Bridge Inverter -40°C ~ 125°C (TJ) E1 Trench 500µA 2.3V @ 15V, 75A 4.62nF @ 25V Standard Yes
IXSN50N60BD2 IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B IXYS SOT-227-4, miniBLOC 75A 600V 250W Chassis Mount Single -40°C ~ 150°C (TJ) SOT-227B 350µA 2.5V @ 15V, 50A 3.85nF @ 25V Standard No
IXGK82N120B3 IGBT 1200V 230A 1250W TO264 IXYS TO-264-3, TO-264AA 230A 1200V 1250W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-264 (IXGK) Standard PT 3.2V @ 15V, 82A 600V, 80A, 2Ohm, 15V 500A 5mJ (on), 3.3mJ (off) 350nC 30ns/210ns GenX3™
IXSH30N60CD1 IGBT 600V 55A 200W TO247AD IXYS TO-247-3 55A 600V 200W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AD Standard 2.5V @ 15V, 30A 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V 110A 50ns 700µJ (off) 100nC 30ns/90ns
IXYH20N120C3D1 IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD IXYS TO-247-3 36A 1200V 230W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247 (IXTH) Standard 3.4V @ 15V, 20A 600V, 20A, 10Ohm, 15V 88A 195ns 1.3mJ (on), 500µJ (off) 53nC 20ns/90ns GenX3™, XPT™
APTGT50TA60PG IGBT MODULE 600V 80A 176W SP6P Microchip Technology SP6 80A 600V 176W Chassis Mount Three Phase -40°C ~ 175°C (TJ) SP6-P Trench Field Stop 250µA 1.9V @ 15V, 50A 3.15nF @ 25V Standard No
APTGT150DH120G IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP6 Microchip Technology SP6 220A 1200V 690W Chassis Mount Asymmetrical Bridge SP6 Trench Field Stop 350µA 2.1V @ 15V, 150A 10.7nF @ 25V Standard No
APTGF180DU60TG IGBT MODULE 600V 220A 833W SP4 Microsemi Corporation SP4 220A 600V 833W Chassis Mount Dual, Common Source SP4 NPT 300µA 2.5V @ 15V, 180A 8.6nF @ 25V Standard Yes
APTGT20H60T3G IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3 Microsemi Corporation SP3 32A 600V 62W Chassis Mount Full Bridge Inverter -40°C ~ 175°C (TJ) SP3 Trench Field Stop 250µA 1.9V @ 15V, 20A 1.1nF @ 25V Standard Yes
NGTB75N65FL2WG IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247 onsemi TO-247-3 100A 650V 595W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-247-3 Standard Trench Field Stop 2V @ 15V, 75A 400V, 75A, 10Ohm, 15V 200A 80ns 1.5mJ (on), 1mJ (off) 310nC 110ns/270ns
RGS30TSX2GC11 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12 Rohm Semiconductor TO-247-3 30A 1200V 267W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) TO-247N Standard Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 15A 600V, 15A, 10Ohm, 15V 45A 740µJ (on), 600µJ (off) 41nC 30ns/70ns
STGD7NB60ST4 IGBT 600V 15A 55W DPAK STMicroelectronics TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 15A 600V 55W Surface Mount 150°C (TJ) DPAK Standard 1.6V @ 15V, 7A 480V, 7A, 1kOhm, 15V 60A 3.5mJ (off) 33nC 700ns/- PowerMESH™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.