• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • MG1275W-XN2MM
    IGBT MOD 1200V 105A 368W
    Littelfuse Inc.
    • Производитель: Littelfuse Inc.
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 368W
    • Ток коллектора (макс): 105A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GHIS030A120S-A2
    IGBT MOD 1200V 60A 340W SOT227
    SemiQ
    • Производитель: SemiQ
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 340W
    • Ток коллектора (макс): 60A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4nF @ 30V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IGB30N60H3XKSA1
    HIGH SPEED 600V, 30A IGBT
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DDB2U30N08VRBOMA1307
    IGBT MODULE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGL90DH120T3G
    IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP3
    • Тип корпуса: SP3
    • Конфигурация: Asymmetrical Bridge
    • Мощность - Макс.: 385W
    • Ток коллектора (макс): 110A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGH40N60UFDTU
    IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 45ns
    • Мощность - Макс.: 290W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 80A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
    • Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
    • Gate Charge: 120nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4PSC71KD
    IGBT 600V 85A 350W SUPER247
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-274AA
    • Тип корпуса: SUPER-247™ (TO-274AA)
    • Время обратного восстановления (trr): 82ns
    • Мощность - Макс.: 350W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 85A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 60A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 3.95mJ (on), 2.33mJ (off)
    • Gate Charge: 340nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 82ns/282ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FZ30R07W1E3B31ABOMA1
    IGBT MODULE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • VS-GA200SA60SP
    IGBT MODULE 600V 781W SOT227
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 781W
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGA50N100BNTTU
    IGBT, 50A, 1000V, N-CHANNEL
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Мощность - Макс.: 156W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 50A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1V
    • Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT and Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Gate Charge: 257nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIG032TS-TL-H
    NCH IGBT 180A 400V 2.5V
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FZ800R12KS4B2NOSA1
    IGBT MOD 1200V 1200A 7600W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 7600W
    • Ток коллектора (макс): 1200A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 800A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 52nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AFGHL50T65SQD
    AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 268W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 80A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
    • Gate Charge: 102nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIXA10W1200TMH
    IGBT MOD 1200V 17A 65W MINIPACK2
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: MiniPack2
    • Тип корпуса: MiniPack2
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 65W
    • Ток коллектора (макс): 17A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 150µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 9A
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • A2C50S65M2
    IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: ACEPACK™ 2
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 208W
    • Ток коллектора (макс): 50A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.15nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.