• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • IRG4BC40FPBF
    FAST SPEED IGBT
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Мощность - Макс.: 160W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 49A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 27A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 27A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 370µJ (on), 1.81mJ (off)
    • Gate Charge: 150nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 26ns/240ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CM200DY-24NF
    IGBT MOD 1200V 200A 1130W
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Серия: IGBTMOD™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 1130W
    • Ток коллектора (макс): 200A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 47nF @ 10V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGS4607DPBF
    IGBT WITH RECOVERY DIODE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 58W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 11A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 140µJ (on), 62µJ (off)
    • Gate Charge: 9nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/120ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGB30N6S2
    N-CHANNEL IGBT
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB
    • Мощность - Макс.: 167W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 45A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 108A
    • Switching Energy: 55µJ (on), 100µJ (off)
    • Gate Charge: 23nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 6ns/40ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • ISL9V3036P3
    N-CHANNEL IGBT
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Серия: EcoSPARK®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 21A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 360V
    • Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A
    • Gate Charge: 17nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IKA15N65H5XKSA1
    IGBT 650V 14A TO220-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: PG-TO220-3-111
    • Время обратного восстановления (trr): 48ns
    • Мощность - Макс.: 33.3W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 14A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 45A
    • Switching Energy: 120µJ (on), 50µJ (off)
    • Gate Charge: 38nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4RC10SD
    IGBT 600V 14A 38W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 28ns
    • Мощность - Макс.: 38W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 14A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off)
    • Gate Charge: 15nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4BC20SD-SPBF
    IGBT 600V 19A 60W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 19A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 38A
    • Switching Energy: 320µJ (on), 2.58mJ (off)
    • Gate Charge: 27nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 62ns/690ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RGW80TS65DHRC11
    HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Время обратного восстановления (trr): 92ns
    • Мощность - Макс.: 214W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 80A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
    • Gate Charge: 110nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIXA10W1200TML
    IGBT MODULE 1200V 17A 65W E1
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: E1
    • Тип корпуса: E1
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 65W
    • Ток коллектора (макс): 17A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 150µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 9A
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGH40N60A
    IGBT 600V 75A 250W TO247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 75A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 40A, 22Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 3mJ (off)
    • Gate Charge: 200nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 100ns/600ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGH40N120C3
    IGBT 1200V 75A 380W TO247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Мощность - Макс.: 380W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 75A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
    • Gate Charge: 142nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 17ns/130ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF300R06KE3_B2
    IGBT MODULE
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGL120TDU120TPG
    IGBT MODULE 1200V 140A 517W SP6P
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: SP6-P
    • Конфигурация: Triple, Dual - Common Source
    • Мощность - Макс.: 517W
    • Ток коллектора (макс): 140A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGR2B60KDPBF
    IGBT 600V 6.3A 35W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Время обратного восстановления (trr): 68ns
    • Мощность - Макс.: 35W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 6.3A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 2A, 100Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 8A
    • Switching Energy: 74µJ (on), 39µJ (off)
    • Gate Charge: 12nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 11ns/150ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.