• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Конфигурация
Рабочая температура
Тип корпуса
Входной каскад
IGBT Type
Обратный ток коллектора
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
Input Capacitance (Cies) @ Vce
Input
Test Condition
Current - Collector Pulsed (Icm)
Время обратного восстановления (trr)
NTC Thermistor
Switching Energy
Gate Charge
Td (on/off) @ 25°C
Серия
FMG1G400US60H IGBT, 400A, 600V, N-CHANNEL Fairchild Semiconductor Module 400A 600V 1136W Chassis Mount Single -40°C ~ 150°C (TJ) 250µA 2.7V @ 15V, 400A Standard No
AIHD06N60RATMA1 IC DISCRETE 600V TO252-3 Infineon Technologies TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 12A 600V 100W Surface Mount -40°C ~ 175°C (TJ) PG-TO252-3-313 Standard Trench Field Stop 2.1V @ 15V, 6A 400V, 6A, 23Ohm, 15V 18A 110µJ (on), 220µJ (off) 48nC 12ns/127ns
IRGP4266DPBF IGBT 650V 140A 455W TO247AC Infineon Technologies TO-247-3 140A 650V 455W Through Hole -40°C ~ 175°C (TJ) TO-247AC Standard 2.1V @ 15V, 75A 400V, 75A, 10Ohm, 15V 300A 170ns 2.5mJ (on), 2.2mJ (off) 210nC 50ns/200ns
IRGC20B60KB IGBT CHIP Infineon Technologies Die 20A 600V Surface Mount Die Standard NPT 1.3V @ 15V, 4A
SIGC07T60NCX1SA1 IGBT 3 CHIP 600V WAFER Infineon Technologies Die 6A 600V Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) Die Standard NPT 2.5V @ 15V, 6A 300V, 6A, 54Ohm, 15V 18A 21ns/110ns
FS75R12W2T4PB11BPSA1 LOW POWER EASY Infineon Technologies
FF600R12IE4PNOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3350W Infineon Technologies Module 600A 1200V 3350W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C Module Trench Field Stop 5mA 2.05V @ 15V, 600A 37nF @ 25V Standard Yes PrimePack™2
IRGB30B60KPBF IGBT, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N International Rectifier TO-220-3 78A 600V 370W Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) TO-220AB Standard NPT 2.35V @ 15V, 30A 400V, 30A, 10Ohm, 15V 120A 350µJ (on), 825µJ (off) 102nC 46ns/185ns
IXGH32N90B2D1 IGBT 900V 64A 300W TO247 IXYS TO-247-3 64A 900V 300W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-247AD Standard PT 2.7V @ 15V, 32A 720V, 32A, 5Ohm, 15V 200A 190ns 2.2mJ (off) 89nC 20ns/260ns HiPerFAST™
APTGT200A60T3AG IGBT MODULE 600V 290A 750W SP3 Microsemi Corporation SP3 290A 600V 750W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 175°C (TJ) SP3 Trench Field Stop 250µA 1.9V @ 15V, 200A 12.3nF @ 25V Standard Yes
FGA25N120ANTU IGBT 1200V 40A 310W TO3P onsemi TO-3P-3, SC-65-3 40A 1200V 310W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-3P Standard NPT 3.2V @ 15V, 25A 600V, 25A, 10Ohm, 15V 75A 4.8mJ (on), 1mJ (off) 200nC 60ns/170ns
CM600DY-24S IGBT MOD 1200V 600A 4050W Powerex Inc. Module 600A 1200V 4050W Chassis Mount Half Bridge -40°C ~ 150°C (TJ) Module 1mA 2.25V @ 15V, 600A 60nF @ 10V Standard No
RJH60D1DPP-M0#T2 IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL Renesas Electronics America Inc TO-220-3 Full Pack 20A 600V 30W Through Hole 150°C (TJ) TO-220FL Standard Trench 2.5V @ 15V, 10A 300V, 10A, 5Ohm, 15V 70ns 100µJ (on), 130µJ (off) 13nC 30ns/42ns
RJP30Y2ADPP-MB#T2F IGBT Renesas Electronics America Inc
STGP8NC60KD IGBT 600V 15A 65W TO220 STMicroelectronics TO-220-3 15A 600V 65W Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) TO-220 Standard 2.75V @ 15V, 3A 390V, 3A, 10Ohm, 15V 30A 23.5ns 55µJ (on), 85µJ (off) 19nC 17ns/72ns PowerMESH™
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.