• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • RGT30TM65DGC9
    FIELD STOP TRENCH IGBT
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220NFM
    • Время обратного восстановления (trr): 55ns
    • Мощность - Макс.: 32W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 14A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 45A
    • Gate Charge: 32nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT40GP90JDQ2
    IGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOP
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: POWER MOS 7®
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: ISOTOP
    • Тип корпуса: ISOTOP®
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 284W
    • Ток коллектора (макс): 64A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 900V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CM500HA-34A
    IGBT MOD 1700V 500A 5000W
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Серия: IGBTMOD™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 5000W
    • Ток коллектора (макс): 500A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 500A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 120nF @ 10V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IKB30N65EH5ATMA1
    IGBT TRENCH/FS 650V 55A D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™ 5
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: PG-TO263-3
    • Время обратного восстановления (trr): 75ns
    • Мощность - Макс.: 188W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 55A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 90A
    • Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off)
    • Gate Charge: 70nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGT1S20N36G3VLS
    IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AB
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 37.7A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 415 V
    • Test Condition: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 20A
    • Gate Charge: 28.7nC
    • Td (on/off) @ 25°C: -/15µs (off)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AUIRGF76524D0
    DIODE IGBT 680V 24A TO-247AD
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AIKW40N65DF5XKSA1
    IC DISCRETE 650V TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-41
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 74A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
    • Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
    • Gate Charge: 95nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • NGTB50N60SWG
    IGBT 600V 50A TO247
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 376ns
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 600µJ (off)
    • Gate Charge: 135nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGB15B60KDPBF
    IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Время обратного восстановления (trr): 92ns
    • Мощность - Макс.: 208W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 31A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 15A, 22Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 62A
    • Switching Energy: 220µJ (on), 340µJ (off)
    • Gate Charge: 84nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 34ns/184ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FGH50T65UPD
    IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 53ns
    • Мощность - Макс.: 340W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    • Switching Energy: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
    • Gate Charge: 230nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 32ns/160ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG8CH50K10F
    IGBT CHIP WAFER
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 50A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
    • Gate Charge: 245nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 60ns/285ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF300R17ME4PB11BPSA1
    IGBT MOD 1700V 600A 20MW
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoDUAL™ 3
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 20mW
    • Ток коллектора (макс): 600A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 3mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RJP4006AGE-01#P5
    IGBTS, 400V, 120A, N-CHANNEL
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT200TL60G
    IGBT MODULE 600V 300A 652W SP6
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP6
    • Тип корпуса: SP6
    • Конфигурация: Three Level Inverter
    • Мощность - Макс.: 652W
    • Ток коллектора (макс): 300A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 350µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.2nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STGP7NB60HD
    IGBT 600V 14A 80W TO220
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 80W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 14A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 56A
    • Switching Energy: 85µJ (off)
    • Gate Charge: 42nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.