• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • IRG4RC10SDTRPBF-IR
    STANDARD SPEED COPACK IGBT W/ULT
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4BC20UD-STRR
    IGBT 600V 13A 60W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 13A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 52A
    • Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off)
    • Gate Charge: 27nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STGB30H60DF
    IGBT 600V 60A 260W D2PAK
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 110ns
    • Мощность - Макс.: 260W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 60A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
    • Switching Energy: 350µJ (on), 400µJ (off)
    • Gate Charge: 105nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/160ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MIXA80W1200TEH
    IGBT MODULE 1200V 120A 390W E3
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TJ)
    • Package / Case: E3
    • Тип корпуса: E3
    • Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake
    • Мощность - Макс.: 390W
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 77A
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGB30B60K
    IGBT 600V 78A 370W TO220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Мощность - Макс.: 370W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 78A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
    • Switching Energy: 350µJ (on), 825µJ (off)
    • Gate Charge: 102nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 46ns/185ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT35GA90B
    IGBT 900V 63A 290W TO-247
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: POWER MOS 8™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 [B]
    • Мощность - Макс.: 290W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 63A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 900V
    • Test Condition: 600V, 18A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 18A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 105A
    • Switching Energy: 642µJ (on), 382µJ (off)
    • Gate Charge: 84nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/104ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
    IGBT 600V 14A 38W DPAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: HEXFRED®
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-PAK (TO-252AA)
    • Время обратного восстановления (trr): 28ns
    • Мощность - Макс.: 38W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 14A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off)
    • Gate Charge: 15nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXBH6N170
    IGBT 1700V 12A 75W TO247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: BIMOSFET™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Время обратного восстановления (trr): 1.08µs
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 36A
    • Gate Charge: 17nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RGW00TS65EHRC11
    HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Время обратного восстановления (trr): 90ns
    • Мощность - Макс.: 254W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 96A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Gate Charge: 141nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RGTV00TS65GC11
    650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247N
    • Мощность - Макс.: 276W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 95A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 1.17mJ (on), 940µJ (off)
    • Gate Charge: 104nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 41ns/142ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGR80N60B
    IGBT 600V ISOPLUS247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: ISOPLUS247™
    • Входной каскад: Standard
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APT40GT60BRG
    IGBT 600V 80A 345W TO247
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Thunderbolt IGBT®
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 [B]
    • Мощность - Макс.: 345W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 80A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
    • Switching Energy: 828µJ (off)
    • Gate Charge: 200nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4PC50U
    IGBT 600V 55A 200W TO247AC
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Мощность - Макс.: 200W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 55A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 27A, 5Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 27A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 220A
    • Switching Energy: 120µJ (on), 540µJ (off)
    • Gate Charge: 180nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 32ns/170ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMIX1G120N120A3V1
    IGBT 1200V 220A 400W SMPD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 24-PowerSMD, 21 Leads
    • Тип корпуса: 24-SMPD
    • Время обратного восстановления (trr): 700ns
    • Мощность - Макс.: 400W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 220A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 960V, 100A, 1Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 700A
    • Switching Energy: 10mJ (on), 33mJ (off)
    • Gate Charge: 420nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 40ns/490ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STGY80H65DFB
    IGBT 650V 120A 469W MAX247
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: MAX247™
    • Время обратного восстановления (trr): 85ns
    • Мощность - Макс.: 469W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 240A
    • Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
    • Gate Charge: 414nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 84ns/280ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.