• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • CM1400DUC-24NF
    IGBT MOD 1200V 1400A 8900W
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Серия: IGBTMOD™
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 8900W
    • Ток коллектора (макс): 1400A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 1400A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 220nF @ 10V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG7U100HF12A
    IGBT MOD 1200V 200A POWIR 34
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: POWIR® 34 Module
    • Тип корпуса: POWIR® 34
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 580W
    • Ток коллектора (макс): 200A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SGR20N40LTM
    IGBT 400V 45W DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252AA
    • Мощность - Макс.: 45W
    • Входной каскад: Standard
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 150A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SGS13N60UFDTU
    IGBT, 13A, 600V, N-CHANNEL
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F-3
    • Время обратного восстановления (trr): 55ns
    • Мощность - Макс.: 45W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 13A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 52A
    • Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
    • Gate Charge: 25nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGA120N30TC
    IGBT 300V 120A 250W TO263AA
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: TO-263AA
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 120A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Gate Charge: 134nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGH50N120C3
    IGBT 1200V 75A 460W TO247
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Мощность - Макс.: 460W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 75A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 250A
    • Switching Energy: 2.2mJ (on), 630µJ (off)
    • Gate Charge: 196nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/123ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IKQ75N120CH3XKSA1
    IGBT 1200V 150A TO247-3-46
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3-46
    • Мощность - Макс.: 938W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 150A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off)
    • Gate Charge: 370nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGQ96N30TBD1
    IGBT 320V 96A TO3P
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 96A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 320V
    • IGBT Type: Trench
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • HGT1S7N60C3DS
    IGBT 600V 14A 60W TO263AB
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D²PAK (TO-263)
    • Время обратного восстановления (trr): 37ns
    • Мощность - Макс.: 60W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 14A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 56A
    • Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
    • Gate Charge: 23nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXXH110N65C4
    IGBT 650V 234A 880W TO247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX4™, XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247 (IXXH)
    • Мощность - Макс.: 880W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 234A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 600A
    • Switching Energy: 2.3mJ (on), 600µJ (off)
    • Gate Charge: 180nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 35ns/143ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SGW30N60HSFKSA1
    IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 41A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 112A
    • Switching Energy: 1.15mJ
    • Gate Charge: 141nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MG200Q2YS60A
    IGBT MOD 1200V 200A 2000W
    Powerex Inc.
    • Производитель: Powerex Inc.
    • Серия: IGBTMOD™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -20°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 2000W
    • Ток коллектора (макс): 200A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 200A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15nF @ 10V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IKW75N65ES5XKSA1
    IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: TrenchStop™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 85ns
    • Мощность - Макс.: 395W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 80A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 300A
    • Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
    • Gate Charge: 164nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AOTF15B60D2
    IGBT 15A
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    • Серия: Alpha IGBT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Время обратного восстановления (trr): 105ns
    • Мощность - Макс.: 42W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 23A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 40A
    • Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
    • Gate Charge: 17.4nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGF75DA120T1G
    IGBT MODULE 1200V 100A 500W SP1
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Package / Case: SP1
    • Тип корпуса: SP1
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 500W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: NPT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.