• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • PCFG40T65SQF
    DIODE SCHOTTKY
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Wafer
    • Входной каскад: Standard
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • IGBT Type: Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 160A
    • Gate Charge: 80nC
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IKW40N65F5AXKSA1
    IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: PG-TO247-3
    • Время обратного восстановления (trr): 73ns
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 74A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 120A
    • Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
    • Gate Charge: 95nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4BC30KDSTRRP
    IGBT 600V 28A 100W D2PAK
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 42ns
    • Мощность - Макс.: 100W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 28A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 56A
    • Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off)
    • Gate Charge: 67nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • A1P50S65M2-F
    IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: ACEPACK™ 1
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 208W
    • Ток коллектора (макс): 50A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.15nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXGN320N60A3
    IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: GenX3™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
    • Тип корпуса: SOT-227B
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 735W
    • Ток коллектора (макс): 320A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 150µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: PT
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RJH60V1BDPE-00#J3
    IGBT 600V 16A 52W LDPAK
    Renesas Electronics America
    • Производитель: Renesas Electronics America
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-83
    • Тип корпуса: 4-LDPAK
    • Время обратного восстановления (trr): 25ns
    • Мощность - Макс.: 52W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 16A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 8A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
    • Switching Energy: 17µJ (on), 110µJ (off)
    • Gate Charge: 19nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 30ns/55ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG4BC10SDPBF
    IGBT 600V 14A 38W TO220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Время обратного восстановления (trr): 28ns
    • Мощность - Макс.: 38W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 14A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off)
    • Gate Charge: 15nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS75R12W2T4PBPSA1
    LOW POWER EASY AG-EASY2B-411
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EasyPACK™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY2B
    • Конфигурация: Full Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 375W
    • Ток коллектора (макс): 107A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MGP15N40CL
    IGBT 440V 15A 150W TO220AB
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220
    • Мощность - Макс.: 150W
    • Входной каскад: Logic
    • Ток коллектора (макс): 15A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 440V
    • Test Condition: 300V, 6.5A, 1kOhm
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 25A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 50A
    • Td (on/off) @ 25°C: -/4µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FZ2400R17HP4B2BOSA2
    IGBT MODULE 1700V 4800A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: IHM-B
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 13000W
    • Ток коллектора (макс): 4800A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2400A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 195nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AIHD04N60RFATMA1
    IC DISCRETE 600V TO252-3
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: PG-TO252-3-313
    • Мощность - Макс.: 75W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 8A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 4A, 43Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 12A
    • Switching Energy: 60µJ (on), 50µJ (off)
    • Gate Charge: 27nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/116ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRGB4045DPBF
    IGBT 600V 12A 77W TO220AB
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Время обратного восстановления (trr): 74ns
    • Мощность - Макс.: 77W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 12A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 18A
    • Switching Energy: 56µJ (on), 122µJ (off)
    • Gate Charge: 13nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 27ns/75ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FZ400R12KE4HOSA1
    IGBT MOD 1200V 400A 2400W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Single
    • Мощность - Макс.: 2400W
    • Ток коллектора (макс): 400A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STGB3NB60SDT4
    IGBT 600V 6A 70W D2PAK
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Серия: PowerMESH™
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    • Тип корпуса: D2PAK
    • Время обратного восстановления (trr): 1.7µs
    • Мощность - Макс.: 70W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 6A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 25A
    • Switching Energy: 1.15mJ (off)
    • Gate Charge: 18nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 125ns/3.4µs
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RJH60D5DPM-00#T1
    IGBT 600V 75A 45W TO3PFM
    Renesas Electronics America Inc
    • Производитель: Renesas Electronics America Inc
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
    • Тип корпуса: TO-3PFM
    • Время обратного восстановления (trr): 100ns
    • Мощность - Макс.: 45W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 75A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Test Condition: 300V, 37A, 5Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 37A
    • Switching Energy: 650µJ (on), 270µJ (off)
    • Gate Charge: 78nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 50ns/135ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.