• Ток коллектора (макс)
  • Граничное напряжение КЭ(макс)
  • Мощность - Макс.
    • Тип корпуса
    • Входной каскад
    • IGBT Type
    • Обратный ток коллектора
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce
    • Input
    • Test Condition
    • Current - Collector Pulsed (Icm)
    • Время обратного восстановления (trr)
    • NTC Thermistor
    • Switching Energy
    • Gate Charge
    • Td (on/off) @ 25°C
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 8948
  • IXGQ180N33TCD1
    IGBT 330V 180A TO3P
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 180A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 330V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IRG7PH44K10DPBF
    IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D
    International Rectifier
    • Производитель: International Rectifier
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AC
    • Время обратного восстановления (trr): 130ns
    • Мощность - Макс.: 320W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 70A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 100A
    • Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.3mJ (off)
    • Gate Charge: 200nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 75ns/315ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
    IGBT MODULE LOW POWER EASY
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EasyPACK™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-EASY3B
    • Конфигурация: Three Level Inverter
    • Мощность - Макс.: 20mW
    • Ток коллектора (макс): 70A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 950V
    • Обратный ток коллектора: 31 µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 25A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.48 nF @ 25 V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF450R07ME4B11BPSA1
    MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoDUAL™ 3
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-ECONOD
    • Конфигурация: 2 Independent
    • Мощность - Макс.: 1450W
    • Ток коллектора (макс): 560A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 450A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 27.5nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT150A1202G
    IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP2
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SP2
    • Тип корпуса: SP2
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 690W
    • Ток коллектора (макс): 220A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 50µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • APTGT75H60T2G
    IGBT MODULE 600V 100A 250W SP2
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: SP2
    • Тип корпуса: SP2
    • Конфигурация: Full Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 250W
    • Ток коллектора (макс): 100A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 600V
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FP15R06YE3B4BOMA1
    MOD IGBT LOW PWR EASY2-1
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FF300R12ME3BOSA1
    IGBT MOD 1200V 500A 1450W
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoDUAL™
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge Inverter
    • Мощность - Макс.: 1450W
    • Ток коллектора (макс): 500A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FZ500R65KE3NOSA1
    IGBT MODULE 6500V 500A
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -50°C ~ 125°C
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: Module
    • Конфигурация: Half Bridge
    • Мощность - Макс.: 2000000W
    • Ток коллектора (макс): 500A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 6500V
    • Обратный ток коллектора: 5mA
    • Input: Standard
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 500A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 135nF @ 25V
    • NTC Thermistor: No
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FS300R17OE4B81BPSA1
    MEDIUM POWER ECONO
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoPACK™+
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-ECONOPP
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 20mW
    • Ток коллектора (макс): 300A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1700V
    • Обратный ток коллектора: 3mA
    • Input: Standard
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.3 nF @ 25 V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AFGHL50T65SQ
    AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247-3
    • Мощность - Макс.: 268W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 80A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 650V
    • Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
    • Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
    • Gate Charge: 99nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSM100GB120DN2FE325HOSA1
    BSM100GB120DN2 - IGBT MODULE
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IXYH16N250C
    IGBT 2500V 35A TO247AD
    IXYS
    • Производитель: IXYS
    • Серия: XPT™
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247AD
    • Время обратного восстановления (trr): 19ns
    • Мощность - Макс.: 500W
    • Входной каскад: Standard
    • Ток коллектора (макс): 35A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 2500V
    • Test Condition: 1250V, 16A, 10Ohm, 15V
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 16A
    • Current - Collector Pulsed (Icm): 126A
    • Switching Energy: 4.75mJ (on), 3.9mJ (off)
    • Gate Charge: 97nC
    • Td (on/off) @ 25°C: 14ns/260ns
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FP75R12N2T7B11BPSA1
    LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-711
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: EconoPIM™ 2
    • Вид монтажа: Chassis Mount
    • Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
    • Package / Case: Module
    • Тип корпуса: AG-ECONO2B
    • Конфигурация: Three Phase Inverter
    • Мощность - Макс.: 20mW
    • Ток коллектора (макс): 75A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1200V
    • Обратный ток коллектора: 14 µA
    • Input: Three Phase Bridge Rectifier
    • IGBT Type: Trench Field Stop
    • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 75A
    • Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1nF @ 25V
    • NTC Thermistor: Yes
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FZ1800R17HP4_B29
    FZ1800R17 - IGBT MODULE
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

IGBT означает биполярный транзистор с изолированным затвором. Это силовой транзистор, сочетающий в себе входной МОП-транзистор и выходной биполярный транзистор. Полевой транзистор образует канал управления по напряжению, биполярный транзистор ‐ силовой канал, выдерживающий высокие токи без перегрева. Быстродействие силовых элементов с изолированным затвором превосходит скорость коммутации биполярных транзисторов, но уступает элементам MOSFET.

IGBT — это транзистор, идеально подходящий для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Выпускаются транзисторы с номинальным напряжением от 400 В до 2000 В и номинальным током от 5 А до 1000 А. IGBT широко используются в промышленных схемах управления, таких как инверторные системы и источники бесперебойного питания (ИБП); в бытовой сфере: кондиционеры и индукционные плиты; а также в современном автомобилестроении - в контроллерах двигателей электромобилей (EV).

IGBT с напряжением до 6 кВольт и током до 4500 Ампер применяются в железнодорожном транспорте, в линиях передачи высокого напряжения постоянного тока (HVDC) и других высоковольтных устройствах.

Для снижения количества внешних элементов выпускают модули на базе IGBT. Они могут содержать дополнительные транзисторы, диоды и другие компоненты. Такая конструкция облегчает ремонт преобразователей, позволяет наращивать мощность устройств путем установки дополнительных модулей или их параллельного соединения.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Reverse Recovery Time (trr) (Время обратного восстановления (trr)) — Время, требуемое для запирания p-n перхода после смены тока с прямого на обратный
Current - Collector Cutoff (Max) (Обратный ток коллектора) — ICBO, ток, протекающий через коллектор в закрытом состоянии при заданном обратном напряжении коллектор-база и свободном эмиттере (режим отсечки). Максимальное значение этого тока является важной характеристикой транзистора.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Current - Collector (Ic) (Max) (Ток коллектора (макс)) — Ic(max), максимальное значение тока коллектора, при котором обеспечиваются расчетные параметры подключения и надежная эксплуатация компонента. Обычно оценивается как ток, при котором коэффициент усиления постоянного тока падает до 50% от максимального значения.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) (Граничное напряжение КЭ(макс)) — V(BR)CEO, это напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы, при котором сохранятеся работоспособность транзистора. Русское название &mdash граничное напряжение коллектор-эмитер, обозначение UКЭО гр.. Граничное напряжение биполярного транзистора указывается в документации или может быть измерено осциллографом, согласно ГОСТ 18604.19-88. Превышение граничного напряжения приводит к лавинному пробою обратного перехода коллектор-база и может привести к перегреву и разрушению компонента.