• Производитель
  • Тип корпуса
  • Выходная мощность
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 46889
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Мощность - Макс.
Выходная мощность
Вид монтажа
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Технология
Рабочая температура
Тип канала
Усиление
Коэффициент шума
Рассеиваемая мощность (Макс)
Напряжение сток-исток (Vdss)
Voltage - Test
Current - Test
Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
FET Feature
Rds On (Max) @ Id, Vgs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
Напряжение затвора (макс)
Серия
BLF7G27LS-150P,112 RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B Ampleon USA Inc. SOT539B 30W 2.5GHz ~ 2.7GHz 65V 37A SOT-539B LDMOS (Dual), Common Source 16.5dB 28V 1.2A
MRF21030LR5 FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 Freescale Semiconductor NI-400 30W 2.14GHz 65V NI-400 LDMOS 13dB 28V 250mA
IPB80N08S406ATMA1 MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 Infineon Technologies PG-TO263-3-2 Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 150W (Tc) 80V 80A (Tc) 5.5mOhm @ 80A, 10V 10V 4V @ 90µA 70nC @ 10V 4800pF @ 25V ±20V Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPP60R099C6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 Infineon Technologies PG-TO220-3 Through Hole TO-220-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 278W (Tc) 600V 37.9A (Tc) 99mOhm @ 18.1A, 10V 10V 3.5V @ 1.21mA 119nC @ 10V 2660pF @ 100V ±20V CoolMOS™
BSS84PL6433HTMA1 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23 Infineon Technologies SOT-23-3 Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 360mW (Ta) 60V 170mA (Ta) 8Ohm @ 170mA, 10V 4.5V, 10V 2V @ 20µA 1.5nC @ 10V 19pF @ 25V ±20V SIPMOS®
IRF3415S MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Infineon Technologies D2PAK Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 3.8W (Ta), 200W (Tc) 150V 43A (Tc) 42mOhm @ 22A, 10V 10V 4V @ 250µA 200nC @ 10V 2400pF @ 25V ±20V HEXFET®
JANTXV2N6804 MOSFET P-CH 100V 11A Microsemi Corporation TO-204AA (TO-3) Through Hole TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) P-Channel 4W (Ta), 75W (Tc) 100V 11A (Tc) 360mOhm @ 11A, 10V 10V 4V @ 250µA 29nC @ 10V ±20V Military, MIL-PRF-19500/562
BUK9Y3R5-40E,115 MOSFET N-CH 40V LFPAK Nexperia USA Inc. LFPAK56, Power-SO8 Surface Mount SC-100, SOT-669 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 167W (Tc) 40V 100A (Tc) 3.6mOhm @ 25A, 10V 5V 2.1V @ 1mA 30.2nC @ 5V 5137pF @ 25V ±10V Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FQD4N25TF MOSFET N-CH 250V 3A DPAK onsemi D-Pak Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 2.5W (Ta), 37W (Tc) 250V 3A (Tc) 1.75Ohm @ 1.5A, 10V 10V 5V @ 250µA 5.6nC @ 10V 200pF @ 25V ±30V QFET®
NTD18N06L-1G N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC I-PAK Through Hole TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 2.1W (Ta), 55W (Tj) 60V 18A (Ta) 65mOhm @ 9A, 5V 5V 2V @ 250µA 22nC @ 5V 675pF @ 25V ±15V
IRFS30067PPBF N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC
SPI07N65C3IN N-CHANNEL POWER MOSFET Rochester Electronics, LLC
STD35NF06T4 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK STMicroelectronics DPAK Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) N-Channel 80W (Tc) 60V 35A (Tc) 20mOhm @ 17.5A, 10V 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V 1300pF @ 25V ±20V STripFET™ II
SUD50P10-43L-E3 MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Vishay Siliconix TO-252, (D-Pak) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) P-Channel 8.3W (Ta), 136W (Tc) 100V 37.1A (Tc) 43mOhm @ 9.2A, 10V 4.5V, 10V 3V @ 250µA 160nC @ 10V 4600pF @ 50V ±20V TrenchFET®
SIRA62DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 30V Vishay Siliconix PowerPAK® SO-8 Surface Mount PowerPAK® SO-8 MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) N-Channel 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) 30V 51.4A (Ta), 80A (Tc) 1.2mOhm @ 15A, 10V 4.5V, 10V 2.2V @ 250µA 93nC @ 10V 4460pF @ 15V +16V, -12V TrenchFET® Gen IV
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100

Полевой транзистор (FET) — это трехконтактный полупроводниковый прибор, который состоит из канала, изготовленного из полупроводникового материала, с двумя электродами, подключенными на обоих концах, именуемых стоком и истоком. Поток зарядов между клеммами истока и стока контролируется третьим электродом, известным как затвор, который расположен в непосредственной близости от канала. Подавая напряжение на клемму затвора, можно модулировать количество носителей заряда в канале, что приводит к соответствующему изменению тока между клеммами истока и стока.

Полевой транзистор подразделяется на два типа в зависимости от того, как электрическое поле затвора влияет на канал, а именно: увеличивает его насыщение носителями заряда или обедняет его. В зависимости от того, увеличивается или уменьшается напряжение, подаваемое на вывод затвора, меняется ток, протекающий через канал. Можно говорить о том, что полевой транзистор является источником тока, управляемого напряжением.


Справочная информация по основным параметрам:

Power - Max (Мощность - Макс.) — Максимальная рассеиваемая мощность прибора. Определяется способностью прибора отводить тепло.
Vgs(th) (Max) @ Id (Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id) — пороговое напряжение затвора (VGS(th)) определяется как минимальное напряжение, приложенное к выводу затвора полевого МОП-транзистора для подачи тока между клеммами истока и стока. Он определяет уровень напряжения, при котором транзистор переходит из области отсечки в активную область.
Power - Output (Выходная мощность) — Мощность, которую компонент способен передать без потери своей работоспособности, в пределах рабочих характеристик. Учитывая, что оптимальным условием распределения мощности меджу источником и приемником является равенство их сопротивлений, в идеале следует ожидать, что такая же мощность поступит на следующий за компонентом каскад или узел.
Mounting Type (Вид монтажа) — Способ установки и крепления компонента на плате, корпусе или шасси устройства.
Operating Temperature (Рабочая температура) — Рабочий диапазон температур компонента.
Transistor Type (Тип транзистора) — Сокращенное обозначение полупроводниковых материалов, определяющих принцип действия транзистора или его конструктивную особенность.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds (Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds) — по сути электрическая емкость затвора, обусловленная конструкцией и топологией полевого транзистора.
Drain to Source Voltage (Vdss) (Напряжение сток-исток (Vdss)) — Напряжение между стоком и истоком при котором полевой транзистор может нормально функционировать. Превышение этого напряжения приводит к лавинному пробою канала, вполне обратимому, если ток не превышает критических значений.
FET Type (Тип канала) — Тип проводимости канала полевого транзистора может быть p- или n- типа и этим определяется полярность напряжения питания, прикладываемого к компоненту.
Rds On (Max) @ Id, Vgs — сопротивление сток-исток в момент перехода в открытое состояние. При дальнейшем увеличении напряжения на завторе это сопротивление будет только уменьшаться.
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — «Напряжение управления», это напряжение, когда МОП-транзистор проводит ток в соответствии с полными техническими характеристиками и может выдавать номинальный ток и имеет сопротивление Rds(on) меньше заявленного.
Voltage - Rated (Номинальное напряжение) — Номинальное напряжение, это напряжение, при котором компонент сохраняет работоспособность в нормальном режиме с сохранением заявленных характеристик.
Current Rating (Amps) (Номинальный ток) — Ток цепи, соответствующий ожидаемой нагрузке электрической цепи и мощности автоматического выключателя, который защищает эту цепь.
Power Dissipation (Max) (Рассеиваемая мощность (Макс)) — Рассеиваемая мощность — это максимальная мощность, которую компонент может рассеивать непрерывно при заданных тепловых условиях.
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C (Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C) — Максимальный непрерывный ток, который полевой транзистор может пропускать без потери функциональности при заданной температуре корпуса. Для надежной и эффективной эксплуатации компонента фактический ток должен быть значительно ниже указанного значения.