Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 120W
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: GaN
- Package / Case: 440206
- Тип корпуса: 440206
- Частота: 2.5GHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 15.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-860
- Тип корпуса: NI-860
- Частота: 880MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 16.5dB
- Voltage - Test: 26V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Ampleon USA Inc.
- Package / Case: 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width)
- Тип корпуса: 4-HSOP
- Частота: 1GHz
- Номинальное напряжение: 110V
- Current - Test: 80mA
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 18dB
- Voltage - Test: 50V
- Номинальный ток: 1.4µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Wolfspeed, Inc.
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 8GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 12dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 28A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Ampleon USA Inc.
- Package / Case: SOT-1278-1
- Тип корпуса: SOT1278-1
- Частота: 2.11GHz ~ 2.2GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 17.1dB
- Номинальный ток: 1.4µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440162
- Тип корпуса: 440162
- Частота: 1.8GHz ~ 2.3GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 500mA
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 15dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: NI-780S
- Тип корпуса: NI-780S
- Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 150mA
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 12dB
- Voltage - Test: 32V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Ampleon USA Inc.
- Package / Case: SOT-502B
- Тип корпуса: SOT502B
- Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz
- Номинальное напряжение: 60V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 13.5dB
- Voltage - Test: 32V
- Номинальный ток: 33A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440206
- Тип корпуса: 440206
- Частота: 2.5GHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 20dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
- Тип корпуса: H-36248-2
- Частота: 920MHz ~ 960MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 750mA
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440162
- Тип корпуса: 440162
- Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz
- Номинальное напряжение: 125V
- Current - Test: 220mA
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 13dB
- Voltage - Test: 48V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440095
- Тип корпуса: 440095
- Частота: 2.5GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 1.2A
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 21.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440206
- Тип корпуса: 440206
- Частота: 2.5GHz
- Номинальное напряжение: 120V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 15.5dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: Die
- Тип корпуса: Die
- Частота: 6GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 13dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Cree/Wolfspeed
- Серия: GaN
- Package / Case: 440193
- Тип корпуса: 440193
- Частота: 0Hz ~ 4GHz
- Номинальное напряжение: 84V
- Current - Test: 1A
- Выходная мощность: 120W
- Тип транзистора: HEMT
- Усиление: 19dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 28A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100