• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 41
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLC9G10XS-120AZ RF LDMOS TRANS 120W SOT1273 Ampleon USA Inc. SOT1273-1 120W 920MHz ~ 960MHz 65V 1.4µA SOT-1273-1 LDMOS (Dual) 21dB 28V 120mA
BLP10H6120PGY RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP Ampleon USA Inc. 4-HSOP 120W 1GHz 110V 1.4µA 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width) LDMOS 18dB 50V 80mA
BLS6G2731S-120,112 RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 120W 2.7GHz ~ 3.1GHz 60V 33A SOT-502B LDMOS 13.5dB 32V 100mA
BLS6G3135S-120,112 RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 60V 7.2A SOT-502B LDMOS 11dB 32V 100mA
BLC9G22XS-120AGWTY IC TRANSISTOR LDMOS SOT-1275 Ampleon USA Inc. SOT1278-1 120W 2.11GHz ~ 2.2GHz 65V 1.4µA SOT-1278-1 LDMOS 17.1dB
BLS6G3135-120,112 RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A Ampleon USA Inc. SOT502A 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 60V 7.2A SOT-502A LDMOS 11dB 32V 100mA
BLP10H6120PY RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF Ampleon USA Inc. 4-HSOPF 120W 1GHz 110V 1.4µA SOT-1223-2 LDMOS 18dB 50V 80mA
MRF9120LR3 FET RF 65V 880MHZ NI-860 NXP USA Inc. NI-860 120W 880MHz 65V NI-860 LDMOS 16.5dB 26V 1A
MRF7S35120HSR5 FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S NXP USA Inc. NI-780S 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 65V NI-780S LDMOS 12dB 32V 150mA
MRF9120LR5 FET RF 65V 880MHZ NI-860 NXP USA Inc. NI-860 120W 880MHz 65V NI-860 LDMOS 16.5dB 26V 1A
CGH40120F RF MOSFET HEMT 28V 440193 Wolfspeed, Inc. 440193 120W 0Hz ~ 4GHz 84V 28A 440193 HEMT 19dB 28V 1A GaN
CGH40120P 120W, GAN HEMT, 28V, DC-3.0GHZ, Wolfspeed, Inc. 440206 120W 2.5GHz 120V 440206 HEMT 15.5dB 28V 1A GaN
CG2H80120D-GP4 120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2 Wolfspeed, Inc. Die 120W 8GHz 84V 28A Die HEMT 12dB 28V GaN
CGH09120F RF MOSFET HEMT 28V 440095 Wolfspeed, Inc. 440095 120W 2.5GHz 84V 440095 HEMT 21.5dB 28V 1.2A GaN
CG2H40120P 120W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, Wolfspeed, Inc. 440206 120W 2.5GHz 120V 440206 HEMT 20dB 28V 1A GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100