• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 41
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLC9G10XS-120AZ RF LDMOS TRANS 120W SOT1273 Ampleon USA Inc. SOT1273-1 120W 920MHz ~ 960MHz 65V 1.4µA SOT-1273-1 LDMOS (Dual) 21dB 28V 120mA
BLP10H6120PY RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF Ampleon USA Inc. 4-HSOPF 120W 1GHz 110V 1.4µA SOT-1223-2 LDMOS 18dB 50V 80mA
BLS6G3135-120,112 RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A Ampleon USA Inc. SOT502A 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 60V 7.2A SOT-502A LDMOS 11dB 32V 100mA
BLP10H6120PGY RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP Ampleon USA Inc. 4-HSOP 120W 1GHz 110V 1.4µA 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width) LDMOS 18dB 50V 80mA
BLS6G3135S-120,112 RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 60V 7.2A SOT-502B LDMOS 11dB 32V 100mA
BLC9G22XS-120AGWTY IC TRANSISTOR LDMOS SOT-1275 Ampleon USA Inc. SOT1278-1 120W 2.11GHz ~ 2.2GHz 65V 1.4µA SOT-1278-1 LDMOS 17.1dB
BLS6G2731S-120,112 RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 120W 2.7GHz ~ 3.1GHz 60V 33A SOT-502B LDMOS 13.5dB 32V 100mA
CG2H40120P 120W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, Cree/Wolfspeed 440206 120W 2.5GHz 120V 440206 HEMT 20dB 28V 1A GaN
MRF9120LR5 FET RF 65V 880MHZ NI-860 NXP USA Inc. NI-860 120W 880MHz 65V NI-860 LDMOS 16.5dB 26V 1A
MRF7S35120HSR5 FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S NXP USA Inc. NI-780S 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 65V NI-780S LDMOS 12dB 32V 150mA
MRF9120LR3 FET RF 65V 880MHZ NI-860 NXP USA Inc. NI-860 120W 880MHz 65V NI-860 LDMOS 16.5dB 26V 1A
CGH09120F RF MOSFET HEMT 28V 440095 Wolfspeed, Inc. 440095 120W 2.5GHz 84V 440095 HEMT 21.5dB 28V 1.2A GaN
CG2H40120P 120W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ, Wolfspeed, Inc. 440206 120W 2.5GHz 120V 440206 HEMT 20dB 28V 1A GaN
CG2H80120D-GP4 120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2 Wolfspeed, Inc. Die 120W 8GHz 84V 28A Die HEMT 12dB 28V GaN
CGH40120P 120W, GAN HEMT, 28V, DC-3.0GHZ, Wolfspeed, Inc. 440206 120W 2.5GHz 120V 440206 HEMT 15.5dB 28V 1A GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100