• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 41
  • 120W, GAN HEMT, 28V, DC-3.0GHZ,
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440206
    • Тип корпуса: 440206
    • Частота: 2.5GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 880MHZ NI-860
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-860
    • Тип корпуса: NI-860
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: 4-BESOP (0.173", 4.40mm Width)
    • Тип корпуса: 4-HSOP
    • Частота: 1GHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 80mA
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 1.4µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 120W GAN HEMT 28V 8.0GHZ DIE, G2
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: Die
    • Тип корпуса: Die
    • Частота: 8GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 28A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC TRANSISTOR LDMOS SOT-1275
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1278-1
    • Тип корпуса: SOT1278-1
    • Частота: 2.11GHz ~ 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.1dB
    • Номинальный ток: 1.4µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S
    • Тип корпуса: NI-780S
    • Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 32V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-502B
    • Тип корпуса: SOT502B
    • Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz
    • Номинальное напряжение: 60V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 32V
    • Номинальный ток: 33A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF LDMOS TRANS 120W SOT1273
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1273-1
    • Тип корпуса: SOT1273-1
    • Частота: 920MHz ~ 960MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 120mA
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 21dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 1.4µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 880MHZ NI-860
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-860
    • Тип корпуса: NI-860
    • Частота: 880MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 120W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ,
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440206
    • Тип корпуса: 440206
    • Частота: 2.5GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-502B
    • Тип корпуса: SOT502B
    • Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 60V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 32V
    • Номинальный ток: 7.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 28V 440095
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440095
    • Тип корпуса: 440095
    • Частота: 2.5GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 1.2A
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 21.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 120W, GAN HEMT, 28V, DC-4.0GHZ,
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440206
    • Тип корпуса: 440206
    • Частота: 2.5GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-502A
    • Тип корпуса: SOT502A
    • Частота: 3.1GHz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 60V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 11dB
    • Voltage - Test: 32V
    • Номинальный ток: 7.2A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1223-2
    • Тип корпуса: 4-HSOPF
    • Частота: 1GHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 80mA
    • Выходная мощность: 120W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 1.4µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: