• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 41
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLC9G22LS-120VTY RF LDMOS TRANS 120W SOT1271 Ampleon USA Inc. SOT1271-2 120W 2.11GHz ~ 2.18GHz 65V 2.8µA SOT-1271-2 LDMOS 18.1dB 28V 700mA
BLC9G20LS-120VY RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753 Ampleon USA Inc. SOT-1275-3 120W 1.81GHz ~ 1.88GHz 65V SOT-1275-3 LDMOS 19.2dB 28V 700mA
BLC9G20LS-120VZ RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753 Ampleon USA Inc. SOT-1275-3 120W 1.81GHz ~ 1.88GHz 65V SOT-1275-3 LDMOS 19.2dB 28V 700mA
CGH40120F RF MOSFET HEMT 28V 440193 Cree/Wolfspeed 440193 120W 0Hz ~ 4GHz 84V 28A 440193 HEMT 19dB 28V 1A GaN
MRF7S35120HSR3 FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S NXP USA Inc. NI-780S 120W 3.1GHz ~ 3.5GHz 65V NI-780S LDMOS 12dB 32V 150mA
SD56120M FET RF 65V 860MHZ M252 STMicroelectronics M252 120W 860MHz 65V 14A M252 LDMOS 16dB 32V 400mA
PTFA091201E-V4-R0 RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 Wolfspeed, Inc. H-36248-2 120W 920MHz ~ 960MHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 19dB 28V 750mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100