Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 112W
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: OM-1230-6L
- Тип корпуса: OM-1230-6L
- Частота: 616MHz ~ 870MHz
- Номинальное напряжение: 105V
- Current - Test: 900mA
- Выходная мощность: 112W
- Тип транзистора: LDMOS (Triple)
- Усиление: 16.9dB
- Voltage - Test: 48V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Package / Case: H-36260-2
- Тип корпуса: H-36260-2
- Частота: 960MHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 2.8A
- Выходная мощность: 112W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 19dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100