- Выходная мощность
- Производитель
- Тип корпуса
- Номинальное напряжение
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип канала
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Тип корпуса
|
Выходная мощность
|
Частота
|
Номинальное напряжение
|
Номинальный ток
|
Package / Case
|
Тип транзистора
|
Усиление
|
Voltage - Test
|
Current - Test
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PTFB093608FVV2S250XTMA1 | IC FET RF LDMOS H-362620-2 | Infineon Technologies | H-36260-2 | 112W | 960MHz | 65V | H-36260-2 | LDMOS | 19dB | 28V | 2.8A | |
A3V07H600-42NR6 | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO | NXP USA Inc. | OM-1230-6L | 112W | 616MHz ~ 870MHz | 105V | 10µA | OM-1230-6L | LDMOS (Triple) | 16.9dB | 48V | 900mA |
- 10
- 15
- 50
- 100