Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 1.2W
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: PW-MINI
- Частота: 520MHz
- Номинальное напряжение: 20V
- Current - Test: 100mA
- Выходная мощность: 1.2W
- Тип транзистора: N-Channel
- Усиление: 10.8dB
- Voltage - Test: 7.2V
- Номинальный ток: 1A
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100