Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 130W

Найдено: 22
  • IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: GOLDMOS®
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: H-30260-2
    • Частота: 2.68GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.4A
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 13.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1135A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS H-37275G-6
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37275G-6/2
    • Тип корпуса: H-37275G-6/2
    • Частота: 1.805GHz ~ 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 720mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 70V 863MHZ NI-650
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-650
    • Тип корпуса: NI-650
    • Частота: 857MHz ~ 863MHz
    • Номинальное напряжение: 70V
    • Current - Test: 400mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.3dB
    • Voltage - Test: 32V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440162
    • Тип корпуса: 440162
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-922-1
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 2.7GHz ~ 3.1GHz
    • Номинальное напряжение: 60V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 12dB
    • Voltage - Test: 32V
    • Номинальный ток: 33A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 130W H-30260-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Серия: GOLDMOS®
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads
    • Тип корпуса: H-30260-2
    • Частота: 2.42GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 1.15A
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1135B
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RFP-LD10E
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37275G-6/2
    • Тип корпуса: H-37275G-6/2
    • Частота: 1.805GHz ~ 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 720mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 8.4-9.6GHZ, AMP W/ CGHV96100F2
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440217
    • Тип корпуса: 440217
    • Частота: 8.4GHz ~ 9.6GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 13.8dB
    • Voltage - Test: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 100W GAN HEMT 7.9-9.6GHZ 50-OHM
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440217
    • Тип корпуса: 440217
    • Частота: 8.4GHz ~ 9.6GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 13.8dB
    • Voltage - Test: 40V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440162
    • Тип корпуса: 440162
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS H-37275G-6
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Package / Case: H-37275G-6/2
    • Тип корпуса: H-37275G-6/2
    • Частота: 1.805GHz ~ 1.88GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 720mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1135A
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 1.2GHz ~ 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 18A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 120W GAN HEMT 28V 4.0GHZ G2
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 440223
    • Тип корпуса: 440223
    • Частота: 2.5GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 130W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 28A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: