Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 100W

Найдено: 84
  • FET RF 68V 960MHZ TO-270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 700mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC TRANS RF LDMOS
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-360H-2SB
    • Тип корпуса: NI-360H-2SB
    • Частота: 1MHz ~ 2.5GHz
    • Номинальное напряжение: 50V
    • Выходная мощность: 100W
    • Усиление: 16.3dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CLF3H0035-100U/SOT467/TRAY
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 0Hz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V 440162
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440162
    • Тип корпуса: 440162
    • Частота: 1.8GHz ~ 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 6A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 100W, SI LDMOS, 28V, 2300-2400MH
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Package / Case: H-37248C-4
    • Тип корпуса: H-37248C-4
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 230mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Частота: 81.36MHz
    • Номинальное напряжение: 500V
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 125V
    • Номинальный ток: 9A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Частота: 81.36MHz
    • Номинальное напряжение: 500V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 125V
    • Номинальный ток: 9A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V 440162
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440162
    • Тип корпуса: 440162
    • Частота: 2.5GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 50V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 6A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 100W, SI LDMOS, 28V, 2300-2400MH
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-37248C-4
    • Тип корпуса: H-37248C-4
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 230mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET HEMT 150V 14DB SOT1228B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1228B
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 3GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Частота: 81.36MHz
    • Номинальное напряжение: 500V
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 125V
    • Номинальный ток: 9A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 72V 860MHZ M246
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Package / Case: M246
    • Тип корпуса: M246
    • Частота: 860MHz
    • Номинальное напряжение: 72V
    • Current - Test: 400mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 14A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V 440162
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440162
    • Тип корпуса: 440162
    • Частота: 1.8GHz ~ 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 6A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 28V 440199
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440199
    • Тип корпуса: 440199
    • Частота: 0Hz ~ 4GHz
    • Номинальное напряжение: 84V
    • Current - Test: 1A
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 12.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 28A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Package / Case: TO-247-3
    • Тип корпуса: TO-247
    • Частота: 81.36MHz
    • Номинальное напряжение: 500V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 125V
    • Номинальный ток: 9A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: