• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 84
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLF871S,112 RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B Ampleon USA Inc. SOT-467B 100W 860MHz 89V SOT-467B LDMOS 19dB 40V 500mA
CLF3H0035S-100U CLF3H0035S-100U/SOT467/TRAY Ampleon USA Inc. SOT-467B 100W 0Hz ~ 3.5GHz 150V SOT-467B HEMT 15dB 50V 300mA
BLF871,112 RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467C Ampleon USA Inc. SOT467C 100W 860MHz 89V SOT-467C LDMOS 19dB 40V 500mA
BLF7G24LS-100 RF FET LDMOS 100W SOT502B Ampleon USA Inc. SOT502B 100W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V 5µA SOT-502B LDMOS 18dB 28V 900mA
BLP15M9S100Z BLP15M9S100/SOT1482/REELDP Ampleon USA Inc. SOT-1482-1 100W 1.5GHz 65V 1.4µA SOT-1482-1 LDMOS 15.7dB 32V 400mA BLP
TM-100 TM-100 - 100W BROADBAND RF POWER Ampleon USA Inc. 100W GaN HEMT
MWE6IC9100NBR1-FR NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER Freescale Semiconductor TO-272 WB-14 100W 869MHz ~ 960MHz 66V 10µA TO-272-14 Variant, Flat Leads LDMOS 33.5dB 26V 120mA
AFV09P350-04GNR3 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Freescale Semiconductor OM-780G-4L 100W 920MHz 105V OM-780G-4L LDMOS (Dual) 19.5dB 48V 860mA
MRF5S9101NR1 RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N- Freescale Semiconductor TO-270 WB-4 100W 869MHz ~ 960MHz 68V 10µA TO-270AB 17.5dB 26V 700mA
PTFA181001EV4XWSA1 IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Infineon Technologies H-36248-2 100W 1.88GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 16.5dB 28V 750mA
PTFA043002E V1 IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4 Infineon Technologies H-30275-4 100W 800MHz 65V 10µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 16dB 32V 1.55A
PTFA181001HL V1 R250 IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2 Infineon Technologies PG-64248-2 100W 1.88GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 16.5dB 28V 750mA
MAGX-001220-100L00 TRANSISTOR GAN 100W 1.2-2.0GHZ MACOM Technology Solutions 100W 1.2GHz ~ 2GHz 65V 4.5A HEMT 14.8dB 50V 500mA
MRF8P9300HSR5 FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230HS NXP USA Inc. NI-1230S 100W 960MHz 70V NI-1230S LDMOS (Dual) 19.4dB 28V 2.4A
MMRF1020-04GNR3 FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4G NXP USA Inc. OM-780G-4L 100W 920MHz 105V OM-780G-4L LDMOS (Dual) 19.5dB 48V 860mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100