• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 84
  • FET RF 68V 960MHZ TO-270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 700mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC TRANS RF LDMOS
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-360H-2SB
    • Тип корпуса: NI-360H-2SB
    • Частота: 1MHz ~ 2.5GHz
    • Номинальное напряжение: 50V
    • Выходная мощность: 100W
    • Усиление: 16.3dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CLF3H0035-100U/SOT467/TRAY
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-467C
    • Тип корпуса: SOT467C
    • Частота: 0Hz ~ 3.5GHz
    • Номинальное напряжение: 150V
    • Current - Test: 300mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V 440162
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440162
    • Тип корпуса: 440162
    • Частота: 1.8GHz ~ 2.2GHz
    • Номинальное напряжение: 125V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 6A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 100W, SI LDMOS, 28V, 2300-2400MH
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Package / Case: H-37248C-4
    • Тип корпуса: H-37248C-4
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 230mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 1.99GHZ TO2704
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 400MHZ 333-04
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Package / Case: 333-04
    • Тип корпуса: 333-04, Style 2
    • Частота: 400MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 13A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 1.99GHZ TO2724
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS DL 48V OM780-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: OM-780-4L
    • Тип корпуса: OM-780-4L
    • Частота: 920MHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Current - Test: 860mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.5dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S-4L
    • Тип корпуса: NI-780S-4L
    • Частота: 512MHz
    • Номинальное напряжение: 133V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 26dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MOSFET 100W 28V 100-500MHZ
    MACOM Technology Solutions
    • Производитель: MACOM Technology Solutions
    • Частота: 100MHz ~ 500MHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 600mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: N-Channel
    • Усиление: 10dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 12A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLP15H9S100G/SOT1483/REELDP
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Серия: BLP
    • Package / Case: SOT-1483-1
    • Тип корпуса: SOT1483-1
    • Частота: 1MHz ~ 1.5GHz
    • Номинальное напряжение: 50V
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17dB
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 960MHZ TO-272-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 960MHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 700mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 26V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: OM-780-4L
    • Тип корпуса: OM-780-4L
    • Частота: 920MHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Current - Test: 860mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.5dB
    • Voltage - Test: 48V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET HEMT 50V 440162
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Серия: GaN
    • Package / Case: 440162
    • Тип корпуса: 440162
    • Частота: 2.5GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 50V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 100W
    • Тип транзистора: HEMT
    • Усиление: 18dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 6A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: