• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 84
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
CLF3H0035-100U CLF3H0035-100U/SOT467/TRAY Ampleon USA Inc. SOT467C 100W 0Hz ~ 3.5GHz 150V SOT-467C HEMT 15dB 50V 300mA
BLP15H9S100GZ BLP15H9S100G/SOT1483/REELDP Ampleon USA Inc. SOT1483-1 100W 1MHz ~ 1.5GHz 50V SOT-1483-1 LDMOS 17dB BLP
UF28100H MOSFET 100W 28V 100-500MHZ MACOM Technology Solutions 100W 100MHz ~ 500MHz 65V 12A N-Channel 10dB 28V 600mA
MRF175LU FET RF 65V 400MHZ 333-04 MACOM Technology Solutions 333-04, Style 2 100W 400MHz 65V 13A 333-04 N-Channel 10dB 28V 100mA
AFV09P350-04NR3 FET RF 2CH 105V 920MHZ OM780-4 NXP USA Inc. OM-780-4L 100W 920MHz 105V OM-780-4L LDMOS (Dual) 19.5dB 48V 860mA
MRF5S9101NR1 FET RF 68V 960MHZ TO-270-4 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 100W 960MHz 68V TO-270AB LDMOS 17.5dB 26V 700mA
AFG24S100HR5 IC TRANS RF LDMOS NXP USA Inc. NI-360H-2SB 100W 1MHz ~ 2.5GHz 50V NI-360H-2SB 16.3dB
MRF6S18100NR1 FET RF 68V 1.99GHZ TO2704 NXP USA Inc. TO-270 WB-4 100W 1.99GHz 68V TO-270AB LDMOS 14.5dB 28V 900mA
MMRF1020-04NR3 RF MOSFET LDMOS DL 48V OM780-4 NXP USA Inc. OM-780-4L 100W 920MHz 105V OM-780-4L LDMOS (Dual) 19.5dB 48V 860mA
MRFE6VP100HSR5 FET RF 2CH 133V 512MHZ NI780 NXP USA Inc. NI-780S-4L 100W 512MHz 133V NI-780S-4L LDMOS 26dB 50V 100mA
MRF5S9101NBR1 FET RF 68V 960MHZ TO-272-4 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 100W 960MHz 68V TO-272BB LDMOS 17.5dB 26V 700mA
MRF6S18100NBR1 FET RF 68V 1.99GHZ TO2724 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 100W 1.99GHz 68V TO-272BB LDMOS 14.5dB 28V 900mA
PXAC241002FC-V1-R250 100W, SI LDMOS, 28V, 2300-2400MH Wolfspeed, Inc. H-37248C-4 100W 2.3GHz ~ 2.4GHz 65V 10µA H-37248C-4 LDMOS (Dual), Common Source 15.5dB 28V 230mA
CGHV22100F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Wolfspeed, Inc. 440162 100W 1.8GHz ~ 2.2GHz 125V 6A 440162 HEMT 20dB 50V 500mA GaN
CGHV27100F RF MOSFET HEMT 50V 440162 Wolfspeed, Inc. 440162 100W 2.5GHz ~ 2.7GHz 50V 6A 440162 HEMT 18dB 50V 500mA GaN
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100