• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип канала
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 84
Наименование Описание Производитель
Тип корпуса
Выходная мощность
Частота
Номинальное напряжение
Номинальный ток
Package / Case
Тип транзистора
Усиление
Voltage - Test
Current - Test
Серия
BLP15M9S100GZ BLP15M9S100G/SOT1483/REELDP Ampleon USA Inc. SOT1483-1 100W 1.4GHz 65V 1.4µA SOT-1483-1 LDMOS (Dual), Common Source 18dB 32V 900mA BLP
BLS2933-100,112 RF FET LDMOS 65V 8DB SOT502A Ampleon USA Inc. SOT502A 100W 2.9GHz ~ 3.3GHz 65V 12A SOT-502A LDMOS 8dB 32V 20mA
MRF6S18100NBR1 RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272 Freescale Semiconductor TO-272 WB-4 100W 1.99GHz 68V TO-272BB LDMOS 14.5dB 28V 900mA
PTFA181001FV4XWSA1 IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Infineon Technologies H-37248-2 100W 1.88GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 16.5dB 28V 750mA
PTFA181001FV4R250FTMA1 IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2 Infineon Technologies H-37248-2 100W 1.88GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged LDMOS 16.5dB 28V 750mA
PTFA181001EV4R250XTMA1 IC FET RF LDMOS 100W H-36248-2 Infineon Technologies H-36248-2 100W 1.88GHz 65V 1µA 2-Flatpack, Fin Leads LDMOS 16.5dB 28V 750mA
NPT2022 HEMT N-CH 48V 100W DC-2GHZ MACOM Technology Solutions TO-272-2 100W 0Hz ~ 2GHz 160V 14A TO-272BC HEMT 17dB 48V 600mA
MRF177 FET RF 2CH 65V 400MHZ 744A-01 MACOM Technology Solutions 744A-01, Style 2 100W 400MHz 65V 16A 744A-01 2 N-Channel (Dual) Common Source 12dB 28V 200mA
MRF275L FET RF 65V 500MHZ 333-04 MACOM Technology Solutions 333-04, Style 2 100W 500MHz 65V 13A 333-04 N-Channel 8.8dB 28V 100mA
ARF463AP1G RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microchip Technology TO-247 100W 81.36MHz 500V 9A TO-247-3 N-Channel 15dB 125V
ARF463AG RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 Microchip Technology TO-247 100W 81.36MHz 500V 9A TO-247-3 N-Channel 15dB 125V 50mA
MRF5S9101MBR1 FET RF 68V 960MHZ TO2724 NXP USA Inc. TO-272 WB-4 100W 960MHz 68V TO-272BB LDMOS 17.5dB 26V 700mA
BLF4G20S-110B,112 FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B NXP USA Inc. SOT502B 100W 1.93GHz ~ 1.99GHz 65V 12A SOT-502B LDMOS 13.5dB 28V 700mA
CLF1G0035-100 CLF1G0035-100 - 100W BROADBAND R Rochester Electronics, LLC SOT467C 100W 3.5GHz 150V SOT-467C HEMT 12dB 50V 330mA
SD56120 FET RF 65V 860MHZ M246 STMicroelectronics M246 100W 860MHz 65V 14A M246 LDMOS 16dB 28V 400mA
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100