Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 12W

Найдено: 48
  • RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1121A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 2.5GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 450mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 3.6GHZ NI-780S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S
    • Тип корпуса: NI-780S
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF MOSFET LDMOS DL 28V LDMOST
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1121B
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 2.5GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 450mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 3.6GHZ NI-780S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-780S
    • Тип корпуса: NI-780S
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF S BAND, N-CHANNEL
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-780S
    • Тип корпуса: NI-780S
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.93GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 610mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 1.99GHZ TO-270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.99GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 750mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: TO-272BB
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.93GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 610mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 120V 1.95GHZ 440166
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 440166
    • Тип корпуса: 440166
    • Частота: 1.95GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: Silicon Carbide MESFET
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 48V
    • Коэффициент шума: 3.1dB
    • Номинальный ток: 1.8A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS H-36265-2
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: H-36265-2
    • Тип корпуса: H-36265-2
    • Частота: 390MHz ~ 450MHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 25dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 120V 1.95GHZ 440196
    Cree/Wolfspeed
    • Производитель: Cree/Wolfspeed
    • Package / Case: 440196
    • Тип корпуса: 440196
    • Частота: 1.95GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: Silicon Carbide MESFET
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 48V
    • Коэффициент шума: 3.1dB
    • Номинальный ток: 1.8A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: