• Выходная мощность
  • Производитель
  • Тип корпуса
  • Номинальное напряжение
Найдено: 48
  • FET RF 120V 1.95GHZ 440196
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Package / Case: 440196
    • Тип корпуса: 440196
    • Частота: 1.95GHz
    • Номинальное напряжение: 120V
    • Current - Test: 500mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: Silicon Carbide MESFET
    • Усиление: 15dB
    • Voltage - Test: 48V
    • Коэффициент шума: 3.1dB
    • Номинальный ток: 1.8A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1121A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 2.5GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 450mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC TRANS RF LDMOS
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-15 Variant, Gull Wing
    • Тип корпуса: TO-270WBG-15
    • Частота: 1.84GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 24mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 28.9dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC AMP RF LDMOS H-36265-2
    Wolfspeed, Inc.
    • Производитель: Wolfspeed, Inc.
    • Package / Case: H-36265-2
    • Тип корпуса: H-36265-2
    • Частота: 390MHz ~ 450MHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Current - Test: 50mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 25dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-975C
    • Тип корпуса: CDFM2
    • Частота: 2.45GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 10mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 19dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.93GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 610mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-272-4
    • Тип корпуса: TO-272 WB-4
    • Частота: 1.93GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 610mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 65V 3.6GHZ NI-780
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-957A
    • Тип корпуса: NI-780H-2L
    • Частота: 3.4GHz ~ 3.6GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 900mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 14dB
    • Voltage - Test: 30V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: H-36265-2
    • Тип корпуса: H-36265-2
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 550mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1121A
    • Тип корпуса: LDMOST
    • Частота: 2.3GHz ~ 2.4GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 650mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 18A
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC TRANS RF LDMOS
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-15 Variant, Flat Leads
    • Тип корпуса: TO-270WB-15
    • Частота: 1.84GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 24mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 28.9dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-4
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.93GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 610mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: TO-270AB
    • Тип корпуса: TO-270 WB-4
    • Частота: 1.93GHz ~ 1.9GHz
    • Номинальное напряжение: 68V
    • Current - Test: 610mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
    • Тип корпуса: H-37265-2
    • Частота: 2.14GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 550mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS
    • Усиление: 16dB
    • Voltage - Test: 28V
    • Номинальный ток: 10µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-1121E
    • Тип корпуса: CDFM4
    • Частота: 2.5GHz ~ 2.7GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 450mA
    • Выходная мощность: 12W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 17.5dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: