Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 1000W

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 43
  • MRF6VP41KHR7
    POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Package / Case: NI-1230
    • Тип корпуса: NI-1230
    • Частота: 450MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLA6H0912LS-1000U
    RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-539B
    • Тип корпуса: SOT539B
    • Частота: 1.03GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF6VP121KHSR5
    FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230S
    • Тип корпуса: NI-1230S
    • Частота: 1.03GHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • AFV121KHR5
    IC TRANS RF LDMOS
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: SOT-979A
    • Тип корпуса: NI-1230-4H
    • Частота: 960MHz ~ 1.22GHz
    • Номинальное напряжение: 112V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.6dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF6VP121KHR5
    FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230
    • Тип корпуса: NI-1230
    • Частота: 1.03GHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF6VP21KHR6
    FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230
    • Тип корпуса: NI-1230
    • Частота: 225MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 24dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF6VP41KHSR6
    FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230S
    • Тип корпуса: NI-1230S
    • Частота: 450MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLF989ESU
    BLF989ES/SOT539/TRAY
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT-539B
    • Тип корпуса: SOT539B
    • Частота: 470MHz ~ 700MHz
    • Номинальное напряжение: 108V
    • Current - Test: 600mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 2.8µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF6VP11KGSR5
    FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230S-4 GW
    • Тип корпуса: NI-1230S-4 GULL
    • Частота: 130MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 26dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMRF1312GSR5
    TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230-4S GW
    • Тип корпуса: NI-1230-4S GULL
    • Частота: 1.03GHz
    • Номинальное напряжение: 112V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 19.6dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF6VP121KHR5178
    LATERAL N CHANNEL BROADBAND RF ,
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-1230
    • Тип корпуса: NI-1230
    • Частота: 965MHz ~ 1.215GHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 21.4dB
    • Voltage - Test: 50V
    • Номинальный ток: 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MRF6VP11KHR5
    RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    Freescale Semiconductor
    • Производитель: Freescale Semiconductor
    • Package / Case: NI-1230S-4 GW
    • Тип корпуса: NI-1230S-4 GULL
    • Частота: 130MHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 26dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMRF1314GSR5
    TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230-4S GW
    • Тип корпуса: NI-1230-4S GULL
    • Частота: 1.4GHz
    • Номинальное напряжение: 105V
    • Current - Test: 100mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 17.7dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • MMRF1007HR5
    FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: NI-1230-4H
    • Тип корпуса: NI-1230-4H
    • Частота: 1.03GHz
    • Номинальное напряжение: 110V
    • Current - Test: 150mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 20dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BLA6H0912L-1000U
    RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539A
    Ampleon USA Inc.
    • Производитель: Ampleon USA Inc.
    • Package / Case: SOT539A
    • Тип корпуса: SOT539A
    • Частота: 1.03GHz
    • Номинальное напряжение: 100V
    • Current - Test: 200mA
    • Выходная мощность: 1000W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual), Common Source
    • Усиление: 15.5dB
    • Voltage - Test: 50V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100