Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 10.5W

    • Package / Case
    • Тип транзистора
    • Технология
    • Рабочая температура
    • Тип полевого транзистора
    • Усиление
    • Коэффициент шума
    • Рассеиваемая мощность (Макс)
    • Напряжение сток-исток (Vdss)
    • Voltage - Test
    • Current - Test
    • Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
    • FET Feature
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    • Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
    • Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
    • Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    • Напряжение затвора (макс)
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • A2I25H060NR1
    IC RF LDMOS AMP
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-17 Variant, Flat Leads
    • Тип корпуса: TO-270WB-17
    • Частота: 2.59GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 26mA
    • Выходная мощность: 10.5W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 26.1dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • A2I25H060GNR1
    IC TRANS RF LDMOS
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Package / Case: TO-270-17 Variant, Gull Wing
    • Тип корпуса: TO-270WBG-17
    • Частота: 2.59GHz
    • Номинальное напряжение: 65V
    • Current - Test: 26mA
    • Выходная мощность: 10.5W
    • Тип транзистора: LDMOS (Dual)
    • Усиление: 26.1dB
    • Voltage - Test: 28V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100