Полупроводники, Транзисторы, FET, MOSFET 1.26W
-
- Package / Case
- Тип транзистора
- Технология
- Рабочая температура
- Тип полевого транзистора
- Усиление
- Коэффициент шума
- Рассеиваемая мощность (Макс)
- Напряжение сток-исток (Vdss)
- Voltage - Test
- Current - Test
- Непрерывный ток стока (Id) @ 25°C
- FET Feature
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- Пороговое напряжение затвора (Max) @ Id
- Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
- Входная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
- Напряжение затвора (макс)
- Серия
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: PLD-1.5W
- Тип корпуса: PLD-1.5W
- Частота: 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 90mA
- Выходная мощность: 1.26W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 21.7dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP USA Inc.
- Package / Case: PLD-1.5W
- Тип корпуса: PLD-1.5W
- Частота: 2.17GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 90mA
- Выходная мощность: 1.26W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 21.7dB
- Voltage - Test: 28V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP Semiconductors
- Package / Case: PLD-1.5W
- Тип корпуса: PLD-1.5W
- Частота: 728MHz ~ 3.6GHz
- Номинальное напряжение: 65V
- Current - Test: 90mA
- Выходная мощность: 1.26W
- Тип транзистора: LDMOS
- Усиление: 21.7dB
- Voltage - Test: 28V
- Номинальный ток: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100